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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
39
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
27
读取速度,GB/s
11.7
16.7
写入速度,GB/s
7.2
14.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
3342
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Super Talent F24SB8GH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Mushkin 996902 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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