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A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
21
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
20
读取速度,GB/s
17.8
19.7
写入速度,GB/s
10.0
16.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2771
3465
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
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