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A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
27
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
15.5
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
27
读取速度,GB/s
17.8
17.6
写入速度,GB/s
10.0
15.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2771
3683
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
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Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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