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A-DATA Technology DDR3 2600 2OZ 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
比较
A-DATA Technology DDR3 2600 2OZ 8GB vs Kingston KHX2666C16/8G 8GB
总分
A-DATA Technology DDR3 2600 2OZ 8GB
总分
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 2600 2OZ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
30
左右 30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.0
11.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 2600 2OZ 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
30
读取速度,GB/s
17.3
16.7
写入速度,GB/s
11.4
13.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2875
3208
A-DATA Technology DDR3 2600 2OZ 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
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