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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
比较
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
总分
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
30
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
11.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
20
读取速度,GB/s
16.8
19.1
写入速度,GB/s
11.5
15.1
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3019
3506
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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