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A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
比较
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB vs Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
总分
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.8
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
32
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
15.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
32
23
读取速度,GB/s
15.5
15.8
写入速度,GB/s
11.8
7.9
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2684
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
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