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A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
比较
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
总分
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
总分
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
32
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
32
21
读取速度,GB/s
15.5
18.8
写入速度,GB/s
11.8
13.5
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
3168
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
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