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A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
比较
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB vs SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
总分
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
总分
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
36
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
32
36
读取速度,GB/s
15.5
15.4
写入速度,GB/s
11.8
11.5
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2320
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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