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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Kingston 9905678-023.A00G 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
总分
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
49
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
34
读取速度,GB/s
10.0
14.7
写入速度,GB/s
8.2
9.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2116
2569
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
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