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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
比较
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
总分
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
56
左右 -115% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
1,925.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
26
读取速度,GB/s
4,315.2
14.5
写入速度,GB/s
1,925.7
8.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
658
2486
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
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