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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
比较
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
总分
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
56
左右 -124% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
1,925.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
25
读取速度,GB/s
4,315.2
15.5
写入速度,GB/s
1,925.7
10.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
658
2910
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB RAM的比较
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
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