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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
47
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
35
读取速度,GB/s
9.3
16.0
写入速度,GB/s
5.9
11.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
2824
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
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