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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
比较
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
总分
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
56
左右 -70% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
5.5
1,925.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
33
读取速度,GB/s
4,315.2
10.4
写入速度,GB/s
1,925.7
5.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
658
1806
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
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