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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
52
左右 -79% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
4200
左右 5.07 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
29
读取速度,GB/s
2,614.5
14.5
写入速度,GB/s
1,145.9
12.0
内存带宽,mbps
4200
21300
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
2960
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
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Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
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