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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
52
左右 -37% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.0
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
4200
左右 4.05 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
38
读取速度,GB/s
2,614.5
14.8
写入速度,GB/s
1,145.9
13.0
内存带宽,mbps
4200
17000
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
3210
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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