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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
52
左右 -44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
4200
左右 4.57 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
36
读取速度,GB/s
2,614.5
15.1
写入速度,GB/s
1,145.9
12.4
内存带宽,mbps
4200
19200
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
2871
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB RAM的比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
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