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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
52
左右 -58% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
4200
左右 4.57 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
33
读取速度,GB/s
2,614.5
15.7
写入速度,GB/s
1,145.9
11.2
内存带宽,mbps
4200
19200
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
2851
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
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