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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
52
左右 -86% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.0
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
4200
左右 5.07 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
28
读取速度,GB/s
2,614.5
17.0
写入速度,GB/s
1,145.9
13.0
内存带宽,mbps
4200
21300
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
3211
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
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Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
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