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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
52
左右 -117% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.3
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
4200
左右 4.05 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
24
读取速度,GB/s
2,614.5
20.3
写入速度,GB/s
1,145.9
17.8
内存带宽,mbps
4200
17000
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
4122
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
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