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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Kingston 9965589-005.A01G 8GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
52
左右 -18% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.7
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
4200
左右 4.05 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
44
读取速度,GB/s
2,614.5
11.2
写入速度,GB/s
1,145.9
7.7
内存带宽,mbps
4200
17000
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
2146
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
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