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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Kingston XN205T-HYD2 16GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Kingston XN205T-HYD2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston XN205T-HYD2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
52
左右 -86% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.6
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
4200
左右 5.07 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
28
读取速度,GB/s
2,614.5
17.5
写入速度,GB/s
1,145.9
16.6
内存带宽,mbps
4200
21300
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
3773
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
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Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
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