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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
52
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
4200
左右 6.1 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
32
读取速度,GB/s
2,614.5
20.6
写入速度,GB/s
1,145.9
14.7
内存带宽,mbps
4200
25600
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
3393
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
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