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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
52
左右 -27% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
4200
左右 4.57 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
41
读取速度,GB/s
2,614.5
12.8
写入速度,GB/s
1,145.9
9.2
内存带宽,mbps
4200
19200
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
2238
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
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