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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
52
左右 -86% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
4200
左右 6.1 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
28
读取速度,GB/s
2,614.5
15.4
写入速度,GB/s
1,145.9
10.3
内存带宽,mbps
4200
25600
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
2892
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
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G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
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