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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
52
左右 -73% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
4200
左右 6.1 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
30
读取速度,GB/s
2,614.5
16.0
写入速度,GB/s
1,145.9
10.6
内存带宽,mbps
4200
25600
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
3026
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
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Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.D8F 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
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