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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
52
左右 -53% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
4200
左右 5.07 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
34
读取速度,GB/s
2,614.5
14.9
写入速度,GB/s
1,145.9
13.1
内存带宽,mbps
4200
21300
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
2780
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
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