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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
52
左右 -58% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.9
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
4200
左右 5.07 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
33
读取速度,GB/s
2,614.5
15.8
写入速度,GB/s
1,145.9
11.9
内存带宽,mbps
4200
21300
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
2824
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
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