RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

总分
star star star star star
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

总分
star star star star star
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 15
    测试中的平均数值
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    43 left arrow 52
    左右 -21% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.0 left arrow 1,145.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    23400 left arrow 4200
    左右 5.57 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    52 left arrow 43
  • 读取速度，GB/s
    2,614.5 left arrow 15.0
  • 写入速度，GB/s
    1,145.9 left arrow 13.0
  • 内存带宽，mbps
    4200 left arrow 23400
Other
  • 描述
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • 时序/时钟速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    409 left arrow 2794

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
内存RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
内存RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
内存RAM