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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
66
左右 -144% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.9
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
27
读取速度,GB/s
2,775.5
18.4
写入速度,GB/s
1,557.9
14.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3008
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-014.A00G 4GB
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Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Inmos + 256MB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
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