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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
66
左右 -128% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.8
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
29
读取速度,GB/s
2,775.5
16.7
写入速度,GB/s
1,557.9
12.8
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3239
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
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