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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
总分
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
40
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
23
读取速度,GB/s
11.3
17.0
写入速度,GB/s
7.5
12.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1654
2963
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
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