Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

总分
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

总分
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    15.3 left arrow 13.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    25600 left arrow 19200
    左右 1.33% 更高的带宽
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    25 left arrow 50
    左右 -100% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    12.1 left arrow 10.9
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR5
  • PassMark中的延时,ns
    50 left arrow 25
  • 读取速度,GB/s
    15.3 left arrow 13.4
  • 写入速度,GB/s
    10.9 left arrow 12.1
  • 内存带宽,mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • 时序/时钟速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow no data / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2512 left arrow 3419
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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