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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Compara
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
50
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
10.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR5
Latencia en PassMark, ns
50
25
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
no data / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2512
3419
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
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