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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
66
左右 -200% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.6
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
22
读取速度,GB/s
2,775.5
18.2
写入速度,GB/s
1,557.9
13.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3297
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
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