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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
66
左右 -175% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
24
读取速度,GB/s
2,775.5
16.4
写入速度,GB/s
1,557.9
11.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3005
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
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