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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.9
8.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
5.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
49
左右 -11% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
44
读取速度,GB/s
10.9
8.5
写入速度,GB/s
8.7
5.6
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
1660
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
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