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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.9
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.1
12.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
27
读取速度,GB/s
17.8
21.9
写入速度,GB/s
12.5
19.1
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
4044
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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