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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
37
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.9
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
34
读取速度,GB/s
11.4
20.9
写入速度,GB/s
7.4
13.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3343
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
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