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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
66
左右 -144% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.3
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
27
读取速度,GB/s
2,775.5
17.0
写入速度,GB/s
1,557.9
16.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3784
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
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G Skill Intl F3-2133C9-8GZH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
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