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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
66
左右 -120% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
30
读取速度,GB/s
2,775.5
18.2
写入速度,GB/s
1,557.9
13.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2947
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
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