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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
66
左右 -200% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.0
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
22
读取速度,GB/s
2,775.5
17.6
写入速度,GB/s
1,557.9
13.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3060
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
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