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AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
67
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
37
读取速度,GB/s
6.8
15.2
写入速度,GB/s
3.6
12.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2863
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
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Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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