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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
66
左右 -154% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.7
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
26
读取速度,GB/s
2,775.5
19.3
写入速度,GB/s
1,557.9
16.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3733
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
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