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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
73
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.1
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
36
读取速度,GB/s
3,510.5
15.1
写入速度,GB/s
1,423.3
11.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2800
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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