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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
73
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
2800
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
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