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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
66
左右 -136% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.7
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
28
读取速度,GB/s
2,775.5
19.6
写入速度,GB/s
1,557.9
15.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3807
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KX830D-ELC 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
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