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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
66
左右 -83% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.8
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
36
读取速度,GB/s
2,775.5
14.9
写入速度,GB/s
1,557.9
9.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2473
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
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