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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
61
66
左右 -8% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
61
读取速度,GB/s
2,775.5
18.4
写入速度,GB/s
1,557.9
8.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2025
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
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