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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
66
左右 -187% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.7
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
23
读取速度,GB/s
2,775.5
16.6
写入速度,GB/s
1,557.9
11.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2495
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
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