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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
66
左右 -136% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.1
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
28
读取速度,GB/s
2,775.5
18.4
写入速度,GB/s
1,557.9
16.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3772
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
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